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第785章 弯道超车的机会[2/3页]

　　米左右线程的浸没式光刻机。

　　因为使用193nmarF光源的浸没式光刻机，波长直接缩短为134nm，这样新型光刻机可以直接从0.1nm左右线程起步，再通过光学邻近效应矫正等技术后，其极限光刻工艺节点甚至可达28nm。

　　要知道在1997年，此时主流的光刻机线程也不过0.25微米，采用的还是KrF248nm光源。而倭国正在研发的193nm乾式光刻机线程也仅仅是0.18微米，下一步才是0.13微米，90nm。

　　也就是说采用另外一条技术路线的华国人有3到5年的宝贵追赶时间，有这个时间应该有机会取得突破。

　　只要这款光刻机被攻克，华国就很可能实现弯道超车，为此赌一把绝对是值得的，毕竟华投有了相应的技术积累。

　　除此之外，还有一个好处，那就是采用193nm乾式光刻机到了65nm左右时，差不多快到极限了，而采用华国路线，线程可以直接到达30nm左右，都问题不大。

　　所以到达这段线程区间时，欧美要么更换光源全部推倒重来，要么与华国交换技术。前者需要大量投资，而后者有现成的技术，到时候除非资本家脑子短路了，否则他们一定会与华国交换专利。因此华国的技术路线，明显才是未来，那么现在投入再多，也是值得的。

　　就在1998年初，更换了身份之后的孙祖杰，以华投决策小组组长的身份，出席了新型光刻机的研发动员大会，林先生也参加了这次动员大会。

　　这几年林先生的研究团队精力都放在天翼那条0.5微米晶片生产线的调试和改进上，并没有许可权知道华投在光刻机领域的那些秘密。

　　经过几年的合作之后，林先生的研究团队已经被认可，所以今天他才有资格出席今天的动员大会，参与到这款代表未来的光刻机研究。

　　林先生听着长吉光电所的同志公开新型光刻机的技术方案，简直不敢相信自己的耳朵。

　　什么时候内地已经攻克了浸没式光刻机，而且有了不止一代产品，那就说明他们很早就有这个思路，并已经实现，可是他们为什么又一直保密，没有对外公开？

　　不过转而一想，林先生也意识到了什么，这些年内地的半导体工业一直在追赶，而且速度很快。

　　九十年代初就宣称弄出了1微米光刻机，而到了95年已经攻克了0.5微米光刻机，所以欧美相继对华国解禁了一部分技术封锁，恐怕就是他们浸没式光刻机的效果。怪不得华国人一直对自己的国产光刻机极端保密，不愿意对外公开，原来是这个原因。

　　这样一来，他的兴趣猛然间大了很多，他怎么也没有想到他的思路竟然在内地已经成型，这太让人兴奋了。

　　尤其是当他知道孙祖杰根据他八十年代的论文，才启动的研发时，更是高兴的不得了，

　　“孙总助，墙里开花墙外香，我们华人能够有这样的追赶机会，而且我还在其中

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